Samsung забуксовала с флеш-памятью — выпуск QLC NAND девятого поколения отложен до 2026 года
На фоне расширения инфраструктуры ИИ продолжает расти спрос на хранилища данных большой ёмкости. Это в свою очередь повышает интерес к разработке памяти NAND нового поколения. Однако, как пишет ZDNet, компания Samsung, один из ключевых поставщиков чипов NAND, испытывает трудности с коммерциализацией своей высокоёмкой памяти NAND девятого поколения (V9), откладывая полномасштабное внедрение V9 QLC NAND как минимум до первой половины 2026 года.
Издание сообщает, что память V9 NAND от Samsung имеет 280-слойную конструкцию, а её массовое производство началось в апреле прошлого года. Чипы первой партии этой памяти использовали структуру TLC (с трёхуровневыми ячейками) и достигали ёмкости 1 Тбит. Вскоре после этого в сентябре 2024 года, по данным ZDNet, Samsung начала массовое производство NAND V9 QLC (с четырёхуровневыми ячейками) ещё большей ёмкости.
Однако источники, опрошенные ZDNet, сообщили, что первые чипы памяти V9 QLC от Samsung имели конструктивные недостатки, которые вызывали проблемы с производительностью. Это и привело к задержке её развёртывания. Хотя Samsung по-прежнему доминирует на рынке памяти NAND в целом, компания отстаёт в сегменте QLC NAND. Её флагманские продукты на базе QLC застряли на поколении V7, а память QLC 8-го поколения (V8) пока не выпущена.
Samsung рискует уступить своё лидерство конкурентам, если не сможет успешно выпустить свою память V9 QLC NAND для удовлетворения растущего спроса на высокоёмкие накопители, вызванного быстрым развитием ИИ-сервисов. В конце августа компания SK hynix объявила о завершении разработки чипов 321-слойной памяти QLC NAND ёмкостью 2 Тбит и начале их массового производства. Компания заявляет, что скорость интерфейса передачи данных у новой памяти удвоилась по сравнению с предыдущими продуктами QLC, в то время как производительность записи увеличилась до 56 %, а производительность чтения — на 18 %. Кроме того, энергоэффективность записи выросла более чем на 23 %, что повышает её конкурентоспособность в сегменте ЦОД, где снижение энергопотребления имеет решающее значение.
ZDNet добавляет, что феврале этого года Samsung заговорила о 400-слойной 1-терабитной памяти TLC NAND V10, хотя компания так и не раскрыла сроки её выпуска. В том же месяце японская компания Kioxia представила 332-слойную память 3D NAND. В отчёте издания отмечается, что разработка этой памяти до конца не завершена, поэтому она пока не готова к массовому производству.
