Samsung и SK Hynix попали в технологическую зависимость от китайской YMTC

Китайская компания Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) заняла доминирующее положение по числу патентов в области гибридного межкристального соединения (hybrid bonding), что усилило технологическое давление на южнокорейских производителей памяти — Samsung и SK hynix. На фоне ускоренной разработки высокоуровневой памяти HBM4 и многослойных микросхем NAND гибридное соединение привлекло повышенное внимание со стороны всей полупроводниковой отрасли.

Согласно данным французской патентной аналитической компании KnowMade, компания YMTC раскрыла 119 патентов, связанных с гибридным соединением, за период с 2017 года по январь 2024 года. Для сравнения: Samsung, начав подачу заявок в 2015 году, к концу 2023 года имела 83 патента, а SK hynix, начавшая подачу только в 2020 году — лишь 11. По информации издания ZDNet, большинство патентов в области технологии гибридного межкристального соединения в настоящее время сосредоточено у трёх компаний: Xperi (США), YMTC (Китай) и TSMC (Тайвань).

На фоне ускоренной разработки памяти стандарта HBM4 и многослойных микросхем NAND технология гибридного межкристального соединения привлекает всё больше внимания отрасли. В отличие от традиционного термокомпрессионного соединения, гибридный метод обеспечивает прямой контакт между кристаллами. Это позволяет формировать более тонкие стеки, увеличивать число вертикальных слоёв, снижать потери сигнала и повышать долю годных микросхем в производстве. Эти преимущества особенно важны для компании SK hynix, которая в настоящее время занимает лидирующие позиции на рынке высокоскоростной памяти с трёхмерной компоновкой.

YMTC уже около четырёх лет серийно выпускает микросхемы NAND с применением гибридного межкристального соединения в рамках фирменной технологии Xtacking. Согласно отчёту, компания использует метод соединения «пластина к пластине» (wafer-to-wafer, W2W): ячейки памяти и периферийные цепи формируются на отдельных кремниевых пластинах, которые затем совмещаются в единый чип.

Как сообщает издание ZDNet, Samsung заключила лицензионное соглашение с YMTC на использование технологии гибридного соединения в будущих поколениях NAND. По информации источника, патенты YMTC сложно обойти с точки зрения технической реализации, что сделало заключение сделки практически неизбежным. Это указывает на усиление патентной зависимости южнокорейского производителя от китайских разработок в ключевой технологической области.

По сведениям издания Financial News, традиционные методы, такие как термокомпрессионное соединение, сталкиваются с проблемами выхода годной продукции при производстве HBM-чипов с числом слоёв выше шестнадцати. В отличие от них, технология гибридного межкристального соединения позволяет формировать более тонкие стеки, увеличивать количество слоёв, снижать потери сигнала и повышать выход годных микросхем.

Как сообщает Sedaily, компания Samsung планирует приступить к выпуску 12-слойной HBM4 до конца текущего года и активно исследует гибридную технологию. Также указывается, что компания работает над её развитием совместно с дочерним предприятием SEMES, специализирующимся на технологическом оборудовании.

Источник